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    • RIE-200C 是一種盒式設備,用于大規模生產,基于 RIE-10NR 的經驗,該設備具有豐富的平行平板 RIE 設備交付記錄。
    • RIE-200NL 是一種負載鎖定設備,基于 RIE-10NR 的經驗,該設備具有豐富的平行平板 RIE 設備交付記錄。
    • RIE-10NR 是一種平行平板反應離子蝕刻 (RIE)設備,用于各向異性加工各種硅薄膜,如 Si、Poly-Si、SiO_和 SiN。
    • RIE-230iP 是一種負載鎖定 ICP 蝕刻設備,采用電感耦合等離子體(工業層壓 Plasma)作為放電形式,旨在高速加工各種材料的超精細。
    • RIE-400iP 是 Max.4“ 晶圓的負載鎖定蝕刻設備,用于各種半導體膜和絕緣膜的高精度、高均勻性。
    • 高密度等離子蝕刻裝置,采用電感耦合等離子體(工業塑料廣場)作為放電形式。 該設備具有負載鎖室,具有出色的工藝可重復性和穩定性。
    • RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設備,用于化合物半導體工藝的多片同時處理,在放電形式中采用電感耦合等離子體( 工業堆疊 Plasma)
    • 高密度等離子蝕刻裝置,采用電感耦合等離子體(工業塑料廣場)作為放電形式。 無負載鎖室的設備配置可實現低成本和節省空間,同時配備 2 個盒式磁帶。
    • 高密度等離子蝕刻裝置,采用電感耦合等離子體(工業塑料廣場)作為放電形式。 該裝置是一種全 面生產設備,具有真空盒室,具有優異的工藝可重復性和穩定性。 它成為直徑為 ±4 英寸的晶圓專用設備,可以安裝在節省空間的地方。
    • 高密度等離子蝕刻裝置,采用電感耦合等離子體(工業塑料廣場)作為放電形式。 該裝置是一種全 面生產設備,具有真空盒室,具有優異的工藝可重復性和穩定性。
    • 高密度等離子蝕刻裝置,采用電感耦合等離子體(工業塑料廣場)作為放電形式。 該裝置具有兩個反應室,提高了區域生產率,是一種具有出色工藝再現性和穩定性的正宗生產設備。
    • PD-100ST 是一種低溫、高速等離子CVD設備,用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 (SiO+),用于液體材料。
    • PD-330STC 是一種用于形成絕緣膜的等離子 CVD 設備,專為 TSV(Si 通孔)開發。
    • PD-270STLC 是一種低溫、高速等離子 CVD 設備,用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 (SiO+),用于液體材料。
    • PD-200STL 是一種高速等離子CVD設備,用于通過液體源形成氧化硅 (SiO2) 膜和氮化硅 (SiN) 膜。
    • 小直徑晶片多片處理用等離子體CVD裝置
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